#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
规格书 |
NTD40N03R |
文档 |
Multiple Devices 07/Jul/2010 |
产品更改通知 | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 25V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 7.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 16.5 mOhm @ 10A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 5.78nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 584pF @ 20V |
功率 - 最大 | 1.5W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube;;其他的名称; |
associated | 80-4-5 |
NTD40N03R-1G也可以通过以下分类找到
NTD40N03R-1G相关搜索